为了突破这一瓶颈，宽禁带半导体材料应运而生，其中碳化硅（SiC）因其卓越的物理特性脱颖而出。而碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Barrier Diode, SBD）作为最先实现商业化并广泛应用的SiC功率器件，已成为提升现代电力电子系统性能的关键引擎。